AI时代下，为满足海量数据存储以及日益增长的繁重计算要求，半导体存储器领域也迎来新的变革，HBM技术从幕后走向台前。
HBM技术之下，DRAM芯片从2D转变为3D，可以在很小的物理空间里实现高容量、高带宽、低延时与低功耗，因而HBM被业界视为新一代内存解决方案。
自2014年首款硅通孔HBM产品问世至今，HBM技术已经发展至第四代，分别是：
(资料图片仅供参考)
HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）。
HBM芯片容量从1GB升级至24GB，带宽从128GB/s提升至819GB/s，数据传输速率也从1Gbps提高至6.4Gbps。
目前，能够稳定量产HBM的厂家，只有韩国的三星和SK海力士。
伴随AI的快速繁荣，存储巨头们围绕HBM的竞争也迅速展开，但主角只有韩国企业。
2010年，三星就紧随SK海力士开始了HBM内存的研发。
并在2016年抢先SK海力士成功量产HBM2，将每个HBM堆栈容量提升至8GB。
此后又率先量产第三代HBM的青春版HBM3E。
2021年10月，一直紧咬三星的SK海力士又成功量产HBM3，重新夺回主动权。
2022年，全球50%的HBM出货来自SK海力士，40%来自三星，美光占10%。
至此，HBM彻底成为了韩国人的游戏。
虽然HBM目前的市场规模还不到整个存储芯片市场的1/10，也不乏其他技术竞争，但决定其能否普及的成本问题。
这恰恰却是三星和SK海力士最擅长解决的:依靠大规模生产能力快速降低成本，拉高其他公司参与竞争需要的投资门槛。
三星在去年技术发布会上发布的内存技术发展路线图中，显示HBM3技术已经量产，其单芯片接口宽度可达1024bit，接口传输速率可达6.4Gbps。
据业内消息人士周一透露，三星最近向客户交付了具有16 GB内存容量且能耗最低的 HBM3 产品样品。
目前，16GB是现有HBM3产品的最大内存容量，数据处理速度为每秒6.4GB，为业界最快。
它还提供了12层24GB HBM3样品，这是第四代HBM芯片，也是业界最薄的同类芯片。
三星对HBM的布局从HBM2开始，目前，三星已经向客户提供了HBM2和HBM2E产品。
目前，三星正在准备批量生产年传输速度可达6.4Gbps的HBM3（16GB和12GB）产品，并计划于下半年推出较HBM3容量更高性能更强的下一代HBM3P产品。
此前，三星电子一直致力于开发高性能计算（HPC）芯片，HBM芯片比重相对不大，但近日三星对HBM市场的关注度提升，HBM市场规模或迎来大幅增长。
三星电子HBM3正式向北美GPU企业供货，HBM3在三星电子整体DRAM销售额中所占比重或将从今年的6%扩大至明年的18%。
专家预测，HBM等AI专用DRAM的开发，将给半导体行业带来巨大变革。
存储半导体公司忙于开发超微制造工艺的时代已经过去，高效处理数据甚至具备处理数据能力的AI半导体技术的发展将变得如此重要，它将决定芯片制造商的未来。
部分资料参考：芯世相：《别的内存都在降价，为啥HBM涨了5倍？》，全球半导体观察：《HBM：SK海力士、三星、美光三分天下》，电子工程专辑：《ChatGPT带火HBM，存储芯片“柳岸花明”？》，硅基研习社：《内存的新战争：韩国人还能赢多久？》
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